アズワン 研究用高純度シリコンウェハー 4×P型（低抵抗） 1枚●研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供●サイズ（インチ）×伝導型：4×P型（低抵抗）●OF長さ（mm）×ウェハー厚（μm）：32.5±2.5×525±25●入数：1枚●製造方法：CZ法●面方位：100●OF位置：110●抵抗値：0.1〜100Ω・cm※低抵抗：≦0.02Ω・cm、高抵抗：≧500Ω・cm●パーティクル：パーティクル不問●※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。●方位（切断角度）、OF位置角度公差、厚み公差をより小さく高精度に加工することができ、エッチングでの正確な溝形成が可能となります。●多様な形状加工と表面処理が可能です（例：ざぐり加工、穴あけ加工、酸化膜付きウェハー）。●ご希望の比抵抗率、ウェハー厚みに合わせた対応が可能です。●8インチ、12インチに関しては随時お問い合わせください（最低単位25枚）。